Der 10-nm-Qualcomm Snapdragon 835 ist da. Lohnt sich der Kauf von 821/820-Telefonen noch?
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Der Winter ist da, der Frühling ist nicht mehr weit und das neue Flaggschiff-Handy ist noch näher. Ich bin so aufgeregt ... Das ist die Stimmung unserer Freunde und auch die psychologische Darstellung der SoC-Hersteller. Qualcomm hat gerade aus heiterem Himmel seinen Flaggschiff-Chip für 2017, den Snapdragon 835, angekündigt. Als Nachfolger des Snapdragon 820/821 weckt es nicht nur neue Erwartungen in Bezug auf die Leistung der Flaggschiff-Telefone des nächsten Jahres, sondern wir fragen uns auch, ob es außer dem Erreichen neuer Höchstwerte bei den Laufergebnissen noch etwas Aufregenderes gibt. Fortschrittlicher Prozess ist wichtiger als die Anzahl der Kerne Letztes Jahr wurde Snapdragon 820 ebenfalls im November veröffentlicht, also genau ein Jahr nach Snapdragon 835. Allerdings ist die Situation von Snapdragon 835 viel besser als die von 820 im letzten Jahr, was dafür verantwortlich war, dass Qualcomm „abkühlte“. Als Qualcomm den Snapdragon 820 ankündigte, gab das Unternehmen alle Parameter wie Architektur, Hauptfrequenz, GPU usw. bekannt, über den Snapdragon 835 wurden diesmal jedoch nicht allzu viele Informationen preisgegeben. Die Hauptsache ist, dass er mit Samsungs 10-nm-Prozesstechnologie hergestellt wird. Interessanterweise hatte Samsung nur einen Monat vor der Bekanntgabe dieser Neuigkeit durch Qualcomm angekündigt, dass seine Chiptechnologie mit 10-nm-Prozess die Massenproduktion erreicht habe. Die beiden Unternehmen gaben die Neuigkeiten gleichzeitig bekannt, als hätten sie sie vorher besprochen. Das Unternehmen, das davon wahrscheinlich am härtesten betroffen war, war ein anderer Chiphersteller, nämlich TSMC. Das Unternehmen musste nicht nur erneut den Titel des „ersten Chipherstellers, der die Massenproduktion der 10-nm-Prozesstechnologie erreicht hat“ an Samsung abgeben, sondern verlor auch den angeblichen Großauftrag für den Qualcomm Snapdragon 835. TSMC konkurriert mit Samsung in der Halbleiterfertigungstechnologie. Nachdem TSMC bei der Massenproduktion des 14/16-nm-FinFET-Prozesses von Samsung geschlagen wurde, versucht das Unternehmen nun sein Bestes, um Samsung im 10-nm- oder sogar 7-nm-Prozess zu überholen. Leider wurden, genau wie beim vorherigen 16-nm-FinFET-Prozess, ständig Neuigkeiten vor der offiziellen Massenproduktion veröffentlicht, der tatsächliche Zeitpunkt verzögerte sich jedoch um fast ein halbes Jahr. Nun ist TSMC, das einst zuversichtlich war, Samsung einholen zu können, nicht nur erneut in Rückstand geraten, sondern es ist auch ungewiss, ob es bis zum Jahresende in der Lage ist, 10 nm in Massenproduktion herzustellen. Hoffentlich ist es nicht zu spät. Denn dies betrifft nicht nur TSMC selbst, auch andere Hersteller sind betroffen. Huawei HiSilicon hat zwei High-End-Chips geplant, Kirin 960 und Kirin 970. Ersterer verwendet den ausgereiften 16-nm-FinFET-Prozess von TSMC, während letzterer den 10-nm-Prozess von TSMC übernehmen soll. Wenn die Massenproduktion nicht wie geplant erfolgen kann, könnte auch das neue Flaggschiff-Telefon von Huawei im nächsten Jahr betroffen sein. MediaTek hat immer gehofft, durch die Übernahme führender Prozesse einen Unterschied im High-End-Chipmarkt zu machen, ist jetzt wahrscheinlich besorgt über die Massenproduktionszeit des 10-nm-Prozesses von TSMC. Da nicht alle MediaTek-Chips das von China Mobile benötigte LTE Cat7 unterstützen und die inländischen Mobiltelefonhersteller allmählich darauf verzichten, ist es dringend erforderlich, den Helio X30 im 10-nm-Prozess auf den Markt zu bringen, der die LTE Cat10-Technologie unterstützt. Dies hat auch zu der aktuellen peinlichen Situation von MediaTek geführt, dass es an Nachfolgern mangelt. Es ist nicht schwer zu erkennen , dass die Nachricht, dass Qualcomm und Samsung gemeinsam die Verwendung des 10-nm-Prozesses zur Herstellung von Snapdragon 835 angekündigt haben, gleichbedeutend damit ist, ihren jeweiligen Konkurrenten gemeinsam zu sagen: „Kommt und holt mich ein“ und ihre führende Position zu erklären . Vielleicht aus diesem Grund wird beim Snapdragon 835 dieses Mal auch eine Methode zur Namensgebung mit Sprungnummern verwendet (das zuvor gemunkelte Modell sollte Snapdragon 830 sein). Schauen Sie, wie glücklich sie sind. Qualcomm-Vizepräsident Keith Kressin und Samsung-Senior-Vizepräsident Ben Suh halten den Snapdragon 835-Chip in der Hand. Dieses Mal muss sich das Schnellladen keine Sorgen um die kalte Schulter von Google machen Zusammen mit dem Snapdragon 835 kommt die Schnellladetechnologie Quick Charge 4. Tatsächlich wurde kurz vor der Ankündigung die Schnellladetechnologie Quick Charge von Qualcomm getestet. In seinem neuesten Dokument zur Android-Kompatibilitätsdefinition empfiehlt Google OEMs dringend, auf Typ-C-Geräten keine patentierten Ladetechnologien zu verwenden, sondern stattdessen das standardmäßige USB-PD-Stromversorgungsprotokoll zu verwenden und dabei eine Reihe von Schnellladetechnologien von Drittanbietern, wie beispielsweise Qualcomm Quick Charge, ins Visier zu nehmen. Gemäß der Schnittstellenspezifikation USB Type-C 3.1 sollte die Ladespannung zwischen 4,45 und 5,25 Volt gehalten werden, während die von Qualcomm QC 3.1 benötigte Spannung den Kabelstandard USB Type-C bei weitem übersteigt. Da diese Technologie auf nicht standardmäßigen Signalen und nicht standardmäßigen USB-Verbindungen basiert, führt sie zu verschiedenen Kompatibilitätsproblemen. Und da jedes Telefon eine andere interne Konfiguration und Laderate hat, kann es zu Sicherheitsrisiken kommen, wenn Benutzer Geräte mischen. Das USB-PD-Ladeprotokoll zielt darauf ab, das standardmäßige 3A-Ladegerät Typ C zu fördern, um ein kompatibles und relativ zuverlässiges Schnellladen zu erreichen. Jetzt zeigt die Einführung von Quick Charge 4, dass Qualcomm bereit ist, die Herausforderung anzunehmen: die Integration der Unterstützung für USB Typ-C und USB-PD. Dies könnte bedeuten, dass in Zukunft verschiedene mit Quick Charge 4 ausgestattete Mobiltelefone durch Mischen von Ladegeräten schnell aufgeladen werden können. Natürlich gibt es auch eine schnellere Ladegeschwindigkeit. Qualcomm sagte, dass die Ladegeschwindigkeit mit Quick Charge 4 um bis zu 20 % erhöht sei. Nach nur fünf Minuten Ladezeit kann das Telefon fünf Stunden oder länger verwendet werden. In etwa 15 Minuten oder weniger können bis zu 50 % der Akkukapazität geladen werden. 50 % Ladung in 15 Minuten, die Ladeeffizienz von Quick Charge 4 wird um 30 % verbessert. Das Upgrade von Quick Charge 4 umfasst auch eine Wärmekontrolle mithilfe der dritten Version des INOV-Energieverwaltungsalgorithmus (Optimal Voltage Intelligent Negotiation) von Qualcomm und soll die erste Echtzeit-Wärmemanagementtechnologie der Branche hinzugefügt haben, die Ihr Telefon beim Laden um bis zu 5 Grad Celsius kühler halten kann als bei der vorherigen Generation. Schließlich achten die Leute aufgrund des Vorfalls mit dem Samsung Note7 immer mehr auf das Problem der Überhitzung beim Laden. Dies liegt vor allem daran, dass mit Snapdragon 835 ausgestattete Mobiltelefone über einen dreifachen Schutz gegen Strom und Spannung sowie einen vierfachen Schutz gegen Überhitzung verfügen und Snapdragon 835 zudem die Akkulaufzeit verwalten kann, sodass Benutzer das Gerät länger nutzen können. Mit anderen Worten, Snapdragon 835 wird der erste sein, der mit Quick Charge 4 ausgestattet ist. Erfüllen Sie Ihre Erwartungen an die Leistung Ihres Mobiltelefons Obwohl Qualcomm noch keine spezifischen Informationen zu Snapdragon 835 veröffentlicht hat, sind einige der offengelegten Informationen grundsätzlich zuverlässig: verbesserte 64-Bit-unabhängige Architektur Kyro 200, Design mit vier großen und vier kleinen Octa-Cores, auf Adreno 540 aktualisierter GPU-Kern, LTE X16-Basisband und schnellerer LPDDR4x-Speicher usw. Dies bedeutet natürlich, dass die Leistung der Flaggschiff-Telefone, die wir im nächsten Jahr haben, im Vergleich zu heute neue Durchbrüche aufweisen wird und die Laufergebnisse neue Rekorde aufstellen werden. Aber denken Sie nicht, dass es so einfach ist. Heutzutage hat SoC auch großen Einfluss auf die Designrichtung und das Benutzererlebnis von Mobiltelefonprodukten. Laut Qualcomm wird der Snapdragon 835 eine kleinere Chipgröße haben, wodurch OEMs in kommenden Produkten mehr Platz zur Verfügung steht, um größere Akkus oder dünnere Designs zu unterstützen. Sie sollten wissen, dass der Hauptgrund, warum Apple die Kopfhörerbuchse aus dem iPhone 7/7 Plus entfernt hat, darin besteht, im Gehäuse Platz für ein Kameramodul, die Taptic Engine und einen Teil der Akkukapazität zu schaffen. Wir können also davon ausgehen, dass die Flaggschiff-Telefone des nächsten Jahres noch dünner sein werden und nicht nur eine höhere Leistung, sondern auch Akkus mit größerer Kapazität und längerer Akkulaufzeit bieten werden. Angesichts der Popularität von Mobiltelefonen mit Dual-Kamera wird erwartet, dass Snapdragon 835 bessere ISP-Supportlösungen für Dual-Kameras bietet und die neue Generation des Hexagon DSP auch eine bessere Standby-Leistung bietet. Da das VR-Konzept immer beliebter wird, hat Qualcomm auch vorgeschlagen, für diese Vorgänge separate Optimierungen vorzunehmen, um bessere Ergebnisse zu erzielen. VR erfordert auf Mobiltelefonen viel höhere Grafikverarbeitungskapazitäten als zuvor und die neue Generation der Adreno-GPU auf Snapdragon 835 wird zweifellos leistungsstärker sein. Darüber hinaus ist das Top-Thema dieses Jahr Künstliche Intelligenz. Der Snapdragon 820 verfügt über eine integrierte Zeroth-Neuralverarbeitungs-Engine, die von Benutzern aufgenommene Fotos automatisch klassifizieren kann. Ich glaube, dass der Snapdragon 835 noch einen Schritt weiter gehen und mehr praktische Funktionen für maschinelles Lernen bieten wird. In Zukunft wird Ihr Telefon Sie wahrscheinlich besser verstehen. Samsung S8, das voraussichtlich als erstes mit Snapdragon 835 ausgestattet sein wird, soll über künstliche Intelligenz und Deep-Learning-Fähigkeiten verfügen Was ist, wenn ich es nicht kaufen kann und nicht warten möchte? Für viele Nutzer ist es tatsächlich sehr attraktiv, als Erster ein Mobiltelefon zu nutzen, das mit dem neuesten Flaggschiff-Chip ausgestattet ist. Doch genau wie die Lieferknappheit, die lange Zeit nach der Veröffentlichung des Snapdragon 820 durch Qualcomm im letzten Jahr bestand, könnte dieses Problem auch Anfang nächsten Jahres noch bestehen. Es gibt keine große Spannung darüber, welcher Hersteller den ersten Snapdragon 835 bekommt, nämlich dass Samsungs Galaxy S8-Serie in der ersten Hälfte des nächsten Jahres auf den Markt kommen wird. In der frühen Phase der Massenproduktion von Snapdragon 835-Chips, also im ersten Quartal nächsten Jahres, werden andere Hersteller als Samsung möglicherweise nicht in der Lage sein, viele Waren zu bekommen. Bis der Snapdragon 835 in heimischen Mobiltelefonen flächendeckend zum Einsatz kommt, dürfte es Mitte nächsten Jahres sein. Für Benutzer, die in naher Zukunft ihr Telefon wechseln müssen und wirklich nicht die Geduld haben, ein halbes Jahr auf den Kauf eines neuen Telefons zu warten, sind das Modell Snapdragon 821, der neue Standard für Android-Flaggschiffe, und das Modell Snapdragon 820, dessen Preis-Leistungs-Verhältnis in letzter Zeit gestiegen ist, immer noch eine gute Wahl. Als Gewinner des Qingyun-Plans von Toutiao und des Bai+-Plans von Baijiahao, des Baidu-Digitalautors des Jahres 2019, des beliebtesten Autors von Baijiahao im Technologiebereich, des Sogou-Autors für Technologie und Kultur 2019 und des einflussreichsten Schöpfers des Baijiahao-Vierteljahrs 2021 hat er viele Auszeichnungen gewonnen, darunter den Sohu Best Industry Media Person 2013, den dritten Platz beim China New Media Entrepreneurship Competition Beijing 2015, den Guangmang Experience Award 2015, den dritten Platz im Finale des China New Media Entrepreneurship Competition 2015 und den Baidu Dynamic Annual Powerful Celebrity 2018. |
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