In der Notebook-Computerbranche ersetzen Solid-State-Laufwerke (SSDs) auf Basis der Flash-Speichertechnologie nach und nach die relativ rückständige mechanische Festplattentechnologie. Allerdings weisen Solid-State-Laufwerke immer noch einige Defizite hinsichtlich der Speicherkapazität auf. Allerdings haben Intel Corporation und Micron Technology vor Kurzem einen bedeutenden Durchbruch auf dem Gebiet der Solid-State-Laufwerkstechnologie angekündigt, der die Speicherkapazität von Solid-State-Laufwerken verzehnfachen kann, sodass 10-TB-Solid-State-Laufwerke Wirklichkeit werden. Angeführt von Apple bewegt sich die Notebook-Computer-Industrie in Richtung ultraleichter und ultradünner Geräte. Auf einer Produktpräsentationskonferenz im Frühjahr kündigte Apple kürzlich an, den Laptop-Computer neu zu definieren und brachte ein neu gestaltetes MacBook auf den Markt, das als das dünnste aller Zeiten gelten soll. Einer der treibenden Faktoren für die Ultradünnheit von Laptops ist der Verzicht auf alte mechanische Festplatten und die Einführung von Solid-State-Laufwerken. Wenn Verbraucher jedoch auf Solid-State-Laufwerke umsteigen, müssen sie dennoch einen gewissen Preis hinsichtlich Speicherkapazität und Anschaffungskosten zahlen. Laut der amerikanischen Technologie-Nachrichten-Website „Wired“ haben Micron Technology und Intel gemeinsam die Entwicklung einer neuen 3D-NAND-Technologie bekannt gegeben. In diesem Solid-State-Laufwerk können Flash-Speichereinheiten vertikal gestapelt werden, um die Dichte der Flash-Speicherchips zu erhöhen und die Speicherkapazität zu erweitern. Es wird berichtet, dass bei der bisherigen Solid-State-Festplattentechnologie weitere Flash-Speichereinheiten nur in planarer Richtung „hineingequetscht“ werden konnten. Diese Technologie hat hinsichtlich Flash-Speicherdichte und Speicherkapazität fast ihre Grenzen erreicht. Daher kommen die technologischen Durchbrüche von Intel und Micron zum richtigen Zeitpunkt. Wenn technologische Innovationen in eine für den Verbraucher verständliche Sprache übersetzt werden, kann ein 2,5-Zoll-Solid-State-Laufwerk mit neuer Technologie bis zu 10 TB Daten speichern, während ein Solid-State-Laufwerk der gleichen Größe mit der heutigen Technologie maximal 1 TB (1024 GB) Daten speichern kann. In ultraleichten und ultradünnen Notebooks verwenden Computerhersteller im Allgemeinen kleinere Solid-State-Laufwerke, sodass deren Speicherkapazität auf 3,5 TB erweitert werden kann, was viel mehr ist als die 512 GB Kapazität, die heute auf dem Markt zu finden sind. Für die Verbraucher sind das gute, aber auch „kostspielige“ Neuigkeiten. Intel und Micron Technology sagten, dass mit der 3D-NAND-Technologie im Vergleich zu herkömmlichen Solid-State-Laufwerken geringere Kosten erzielt werden können. Im Vergleich zu herkömmlichen mechanischen Festplatten sind die Kosten für Solid-State-Laufwerke jedoch immer noch hoch. Wenn Verbraucher beispielsweise die 128-GB-Version des MacBook Air von Apple durch die 256-GB-Version ersetzen, müssen sie 200 US-Dollar zusätzlich bezahlen. Allerdings betragen die aktuellen Speicherkapazitäten nur einen Bruchteil der Kapazität, die die neuen Technologien von Intel und Micron bieten. Berichten zufolge haben Micron Technology und Intel erklärt, dass sie die neue Technologie gegen Ende dieses Jahres zur Herstellung neuer Solid-State-Laufwerke nutzen würden, so dass Verbraucher möglicherweise schon im nächsten Jahr in der Lage sein werden, Solid-State-Laufwerke mit hoher Kapazität zu kaufen. Von den Fortschritten in der Solid-State-Drive-Technologie werden nicht nur Laptops, sondern auch mobile Geräte wie Tablets profitieren. Wie wir alle wissen, ist die Akkulaufzeit mobiler Geräte zu einem Indikator geworden, auf den die Verbraucher sehr genau achten. Wenn die Kapazitätsdichte von Solid-State-Laufwerken zunimmt, bedeutet dies, dass ihre Größe und ihr Volumen weiter reduziert werden können. Gerätehersteller können mehr Platz im Inneren mobiler Geräte nutzen, um Lithiumbatterien zu konfigurieren, was die Batterielebensdauer mobiler Geräte erhöht. Als Gewinner des Qingyun-Plans von Toutiao und des Bai+-Plans von Baijiahao, des Baidu-Digitalautors des Jahres 2019, des beliebtesten Autors von Baijiahao im Technologiebereich, des Sogou-Autors für Technologie und Kultur 2019 und des einflussreichsten Schöpfers des Baijiahao-Vierteljahrs 2021 hat er viele Auszeichnungen gewonnen, darunter den Sohu Best Industry Media Person 2013, den dritten Platz beim China New Media Entrepreneurship Competition Beijing 2015, den Guangmang Experience Award 2015, den dritten Platz im Finale des China New Media Entrepreneurship Competition 2015 und den Baidu Dynamic Annual Powerful Celebrity 2018. |
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